電子線描画装置販売_en│電子線描画装置のクレステック

CABL-UH（130kV）series

使用较高的加速电压，EB抗蚀剂的前向散射较少。 CABL-UH型号的精度可达小于10nm。
您可以根据您的预算选择90kV，110kV或130kV。

光束直径: <1.6 nmΦ
相关电压: 130 kV, 110 kV 或 90 kV
作业平台尺寸: 8寸晶圆 (最大）　可能4寸、6寸晶圆型号

特色

◆ Vacc: 130kV Max (25-130kV, 5kV steps)

◆ 单一平台级加速能力高达130kV，以最小化EOC尺寸

◆ 微电子自由电子枪

◆ 光束直径：> 1.6nm

◆ 发射极和阳极之间的静电透镜设计使用于实现消隐非常低的像差和短距离电极中心的交叉图像

◆ 使用双重热控制器实现了超稳定的写入能力

产品规格

Electron Emitter／ Acceleration voltage	TFE（ZrO／W）／25～130kV
Min. beam diameter	1.6nm
Scan method	Vector scan（x，y）（Standard） Vector scan（r，θ）, Raster scan，Spot scan（Optional）
Advanced lithography functions（Optional）	Field size modulation lithography，axial symmetry pattern lithography
Field size	30μm□，60μm□，120μm□，300μm□，600μm□, 1000μm□
Work piece size	4，6，8inchΦ（work pieces of other sizes and other shapes can be mounted with our flexible contrivances）
CAD software	Dedicated CAD（Standard），GDSⅡconversion（Optiional）， DXF conversion（Optional）
OS	Windows

CABL-AP（50kV）series

它也是适用于各种应用的学术和研发模型，并且是最适合用于通信用半导体激光器的DFB-LD生产的生产模型。
我们实现了50kV的高分辨率和高吞吐量。

光束直径: < 2 nmΦ (for Academic and R&D)
< 3 nmΦ (for Production)
相关电压: 50kV, 30kV
作业平台尺寸: 4寸，6寸，8寸晶圆型号

请求小册子联系我们

特色

◆ TFE 50kV

◆ 高分辨率与100kV相同

◆ 通过专门设计的激光干涉仪长时间进行高精度针迹写作

◆ 多用户环境（PC控制EOC =配方）

◆ 自我控制 - 隔绝噪音及热影响

◆ 灵活的书写方法（向量，向量R-θ，光栅，斑点，轴对称，场尺寸调制，多重模式，3D结构

User's Voice : City University of Hong Kong

产品规格

Electron Emitter／ Acceleration voltage	TFE（ZrO／W）／5～50kV
Min. beam diameter	2.0nm (for Academic and R&D) 3.0nm (for Production)
Scan method	Vector scan（x，y）(Standard） Vector scan（r，θ）, Raster scan，Spot scan　（Optional）
Advanced lithography functions（Optional）	Field size modulation lithography，axial symmetry pattern lithography
Field size	30μm□ - 1000μm□（50kV) (for Academic and R&D) 30μm□ - 1500μm□（50kV) (for Production)
Work piece size	4，6，8inchΦ
CAD software	Dedicated CAD（Standard），GDSⅡconversion （Optional）， DXF conversion（Optional）
OS	Windows

请随时与我们联系

通过电子邮件请求小册子

制品