クレステックは徹底したマーケットイン志向の電子線描画技術を専門としたナノテク企業です。

電子線描画装置販売

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CABL-UH(130kV)series

CABL-UH

高加速電圧の採用により、レジスト内の電子線の前方散乱が少なく、より微細な加工が可能な電子線描画装置です。お客様の用途、予算に応じて110kV、90kVのラインナップも揃えています。

ビーム径:1.6nmΦ以下
加速電圧:130kV, 110kV, 90kV
ステージ:8インチ対応

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特長

電子線描画装置においては、長時間安定した高電圧による電子線が必要です。そのためには微小放電が限りなくゼロでなければなりません。しかし高電圧には放電現象がつきもので、微小放電はどうしても発生してしまいます。クレステックはその微小放電がほとんど発生しない構造の鏡筒を新たに開発し、長時間安定稼動を実現しました。
130kVの加速電圧は1段加速で生成し、従来の多段加速による電子銃よりも短い構造となっています。この1段加速の設計により、低収差でクーロンぼけの少ない電子光学系が実現しました。結果として、従来よりも大電流で高解像度の描画が可能となったのです。また130kVの高加速描画は50kVと比べると、レジスト内の電子線の前方散乱が少なく、より微細な加工が可能となります。

仕様

電子源/加速電圧 TFE(ZrO/W)/25~130kV
電子ビーム径 1.6nm
スキャン方式 ベクタスキャン(x,y)(標準)
ベクタスキャン(r,θ), ラスタスキャン,スポットスキャン(オプション)
新描画方式(オプション) フィールドサイズ変調描画,回転対称図形描画
フィールドサイズ 30μm□,60μm□,120μm□,300μm□,600μm□, 1000μm□
対応基板サイズ 4,6,8インチΦ(他のサイズ、形状もフレキシブルに対応)
CADソフトウェア オリジナルCAD(標準),GDSⅡコンバージョン(オプション),
DXFコンバージョン(オプション)
OS Windows

CABL-AP(50kV)series

微細加工性とレジスト感度のバランスがとれた、50kV加速電圧を採用した主力製品です。
研究開発等様々な用途に合わせたAcademic and R&Dモデル、通信用半導体レーザーのDFB-LDの生産用に最適なProductionモデル、2種類のモデルをご用意しております。

ビーム径:2nmΦ以下 (for Academic and R&D) 
               3nmΦ以下 (for Production) 
加速電圧:50kV, 30kV
ステージ:4インチ, 6インチ, 8インチ対応

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特長

・従来より一層の簡易操作性と機能性を付加したマルチユーザー対応
・WindowsベースのオリジナルCADGDSⅡおよびDXFに対応(オプション)
・単結晶ZrO/Wを採用したTFE電子銃
・加速電圧50kVで2nmの最小ビーム径を実現
・高いつなぎ精度、重ね合わせ精度
・抜群のビーム電流安定性、ビーム位置安定性
・フィールドサイズ変調ユニット 特許登録済(0.0012nmの最小アドレスサイズを実現)
・チャープト周期回折格子の製作も可能
・装置恒温システム

ユーザーの声 : City University of Hong Kong

仕様

電子源/加速電圧 TFE(ZrO/W)/5~50kV
電子ビーム径 2.0nm (for Academic and R&D) 
3.0nm (for Production)
スキャン方式 ベクタスキャン(x,y)(標準)
ベクタスキャン(r,θ)  (オプション)
ラスタスキャン,スポットスキャン (オプション)
新描画方式(オプション) フィールドサイズ変調描画,回転対称図形描画
フィールドサイズ 30μm□ - 1000μm□(50kV)  (for Academic and R&D) 
30μm□ - 1500μm□(50kV)  (for Production)
対応基板サイズ 4,6,8インチΦ
CADソフトウェア オリジナルCAD(標準),GDSⅡコンバージョン(オプション),
DXFコンバージョン(オプション)
OS Windows

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